[发明专利]整体式铝合金靶及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201080001648.0 申请日: 2010-01-06
公开(公告)号: CN102037153B 公开(公告)日: 2011-04-27
发明(设计)人: 苗卫方;戴维·B·斯马瑟斯;罗伯特·S·贝利 申请(专利权)人: 东曹SMD有限公司
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;B21D19/00;B21J5/00;C22F1/04
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 宋莉
地址: 美国俄*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明提供铝或铝合金溅射靶及其制造方法。对纯的铝或铝合金进行机械加工以制造圆形坯料,然后使所述坯料进行重结晶退火以获得所需的晶粒尺寸和晶体织构。在所述退火之后,向所述坯料提供10~50%的额外应变以提高机械强度。此外,在所述靶的凸缘区中的应变大于其它靶区域中的应变,其中,所述凸缘区中的应变以约20~60%应变的比率施加。然后,对所述坯料进行精加工以形成具有所需的晶体织构和足够的机械强度的溅射靶。
搜索关键词: 整体 铝合金 及其 制造 方法
【主权项】:
制造具有溅射区和凸缘区的整体式Al或Al合金靶的方法,包括如下步骤:a.对Al工件进行机械加工以制造坯料;b.在重结晶温度下,对所述坯料进行退火,以使该坯料重结晶;c.在所述退火之后,在低于所述重结晶温度的温度下产生10~50%的额外应变以提高机械强度;d.进一步地,在所述退火之后且在低于所述重结晶温度的温度下,在凸缘区中产生20~60%的应变;和e.对所述坯料进行精加工,以形成具有所需的晶体织构和足够的机械强度的溅射靶,其中,所述溅射区具有平均至少30%的(200)取向。
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