[发明专利]接合结构体和接合结构体的接合方法有效
| 申请号： | 201080001751.5 | 申请日： | 2010-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN102047398A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 古泽彰男;酒谷茂昭;北浦秀敏;中村太一;松尾隆广 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/52 | 分类号： | H01L21/52;C22C12/00;H01L21/3205;H01L23/52 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 刘多益;胡烨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在半导体元件(102)的表面(102b)配置晶格与以Bi为主要成分的接合材料(106)不同的金属的层(105)，并且在晶格与接合材料(106)不同的金属的所述层(105)和半导体元件(102)的表面(102b)之间配置与接合材料(106)的化合物生成热为正值的元素的层(104)，藉此防止晶格与接合材料(106)不同的金属的所述层(105)的成分向半导体元件(102)扩散。 | ||
| 搜索关键词： | 接合 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种接合结构体，它是通过以Bi为主要成分的接合材料将半导体元件和电极接合而成的接合结构体，其特征在于，在所述半导体元件的与所述电极相对的表面侧配置晶格与所述接合材料不同的金属的层，并且在晶格与所述接合材料不同的金属的所述层和所述半导体元件的与所述电极相对的表面之间配置与所述接合材料的化合物生成热为正值的元素的层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
