[发明专利]电子材料用Cu-Co-Si系铜合金及其制造方法有效
| 申请号： | 201080002031.0 | 申请日： | 2010-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN102099499A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 恩田拓磨;桑垣宽 | 申请（专利权）人： | JX日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C22C9/06 | 分类号： | C22C9/06;C22C9/00;C22C9/01;C22C9/02;C22C9/04;C22C9/05;C22C9/10;C22F1/08;H01B1/02;C22F1/00;C22F1/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 卢曼;李炳爱 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种Cu-Co-Si系合金，其具备适合作为电子材料用铜合金的机械及电特性，且机械特性均一。电子材料用铜合金含有Co：0.5～4.0质量％、Si：0.1～1.2质量％，余部包括Cu及不可避免的杂质。平均结晶粒径为15～30μm，每0.5mm2观察视野的最大结晶粒径与最小结晶粒径的差的平均在10μm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 材料 cu co si 铜合金 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
电子材料用铜合金，其含有Co：0.5～4.0质量％、Si：0.1～1.2质量％，余部包括Cu及不可避免的杂质，其中，平均结晶粒径为15～30μm，每0.5mm2观察视野的最大结晶粒径与最小结晶粒径的差的平均在10μm以下。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于JX日矿日石金属株式会社，未经JX日矿日石金属株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080002031.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有集成排气歧管的发动机设备
- 下一篇：一种处理城市二级出水的正渗透膜反应器
