[发明专利]半导体发光元件基板的制造方法有效
申请号: | 201080002384.0 | 申请日: | 2010-04-27 |
公开(公告)号: | CN102439195A | 公开(公告)日: | 2012-05-02 |
发明(设计)人: | 松本繁治;橘孝彦 | 申请(专利权)人: | 株式会社新柯隆 |
主分类号: | C23C14/24 | 分类号: | C23C14/24;G02B1/10;H01L33/60 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种缩短制造时间并且制造高性能的半导体发光元件基板的制造方法。该半导体发光元件基板的制造方法的特征在于,具有以下工序:加热基板的基板加热工序(S3);清洗基板(S)的基板清洗工序(S6);在基板(S)上蒸镀电介质层(H、L)的电介质层形成工序(S7);停止对基板的加热的基板加热停止工序(S8);利用冷却单元(11、12、13)吸收辐射热来冷却基板(S)以及基板保持单元(3)的冷却工序(S9);和在电介质层(H、L)上蒸镀反射层(R)的反射层形成工序(S11)。 | ||
搜索关键词: | 半导体 发光 元件 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体发光元件基板的制造方法,该半导体发光元件基板在一个面上依次具有电介质层和反射层,该电介质层在基板上由至少折射率不同的2层以上的层构成,其特征在于,该半导体发光元件基板的制造方法依次具有以下工序:基板保持工序,将上述基板保持在真空室内配置的基板保持单元上;真空排气工序,对上述真空室内进行排气;对上述基板进行加热的基板加热工序,该基板加热工序与上述真空排气工序大致同时进行;基板清洗工序,对上述基板照射离子来清洗上述基板;电介质层形成工序,在上述基板上蒸镀上述电介质层;基板加热停止工序,停止对上述基板的加热;冷却工序,利用冷却单元吸收来自上述基板以及上述基板保持单元的辐射热,开始对上述基板和上述基板保持单元的冷却,该冷却单元配置在上述基板的附近不与上述基板接触的位置;以及反射层形成工序,在上述电介质层上蒸镀上述反射层。
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