[发明专利]半导体装置以及其制造方法无效
申请号: | 201080002455.7 | 申请日: | 2010-01-07 |
公开(公告)号: | CN102144292A | 公开(公告)日: | 2011-08-03 |
发明(设计)人: | 内海胜喜;中野高宏;佐野光 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H01L23/02;H01L31/0232 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 黄剑锋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供一种半导体装置以及其制造方法,该半导体装置具备成本低且可靠性以及批量生产能力高的元件结构。半导体装置(100),具备:基板(101),包括摄像区域(102),并具备第一主面和第二主面;电极部(103),被形成在第一主面上;外部电极(109),被形成在第二主面上;导体层(108),被形成在贯穿基板(101)的贯穿孔中,使电极部(103)和外部电极(109)电连接;光学部件(105),被形成在第一主面的上方,具备具有凸形的凸形面;以及透光材料(106),被粘接到光学部件(105)以覆盖凸形,透光材料(106)的上面平坦。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,该半导体装置具备:半导体元件,包括将光转换为电信号的摄像区域,并具备第一主面和作为该第一主面的相反一侧的面的第二主面;第一电极,被形成在所述第一主面上;第二电极,被形成在所述第二主面上;导体部,被形成在贯穿所述半导体元件的贯穿孔中,通过使所述第一电极和所述第二电极电连接,从而将来自所述摄像区域的所述电信号从所述第一电极传到所述第二电极;光学部件,被形成在所述第一主面的上方,具备具有凸形的凸形面,并通过该凸形使光折射;以及透光材料,被粘接到所述光学部件以覆盖所述凸形,在所述光学部件与所述透光材料这两方之中,位于上方的上面平坦。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社,未经松下电器产业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201080002455.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的