[发明专利]多绕组磁结构无效
申请号: | 201080002757.4 | 申请日: | 2010-10-20 |
公开(公告)号: | CN103081043A | 公开(公告)日: | 2013-05-01 |
发明(设计)人: | 彼得·马尔科夫斯基;王林国;步宏飞;高凤川;王健 | 申请(专利权)人: | 雅达电子国际有限公司 |
主分类号: | H01F27/24 | 分类号: | H01F27/24;H01F27/28 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 杜诚;李春晖 |
地址: | 中国香*** | 国省代码: | 中国香港;81 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开了多绕组磁结构和制造多绕组磁结构的方法。在一个实施例中,多绕组磁结构包含由磁材料构成的芯和多个绕组。芯包含芯顶、芯底和多个柱。芯顶具有定义该芯顶的形状的外缘。芯顶的中央部分具有定义该芯顶的厚度的基本上恒定的厚度。芯底在芯顶下面,并且具有定义芯底的形状的外缘。芯底的中央部分具有定义该芯底的厚度的基本上恒定的厚度。芯底和芯顶之一的厚度从其中央部分的边缘到其外缘降低。多个柱从芯底向芯顶延伸,并且多个绕组裹绕这些柱。 | ||
搜索关键词: | 绕组 结构 | ||
【主权项】:
一种多绕组磁结构,包括:磁芯,包含第一柱、第二柱和第三柱,所述第一柱和所述第二柱彼此间隔开以定义所述第一柱和所述第二柱之间的绕组窗口,芯顶,其覆盖所述第一、第二和第三柱,并且定义所述绕组窗口的顶部,和芯底,其在所述第一、第二和第三柱下面,并且定义所述绕组窗口的底部;第一绕组,其围绕所述第一柱定位,所述第一绕组包含多匝绕组材料,所述第一绕组的所述多匝穿过所述绕组窗口;和第二绕组,其围绕所述第二柱定位,所述第二绕组包含多匝绕组材料,所述第二绕组的所述多匝穿过所述绕组窗口;第三绕组,其围绕所述第三柱定位;所述第一绕组和第二绕组围绕所述第一和第二柱沿相同方向延伸,所述第一绕组的所述多匝在所述绕组窗口中沿从所述芯顶到所述芯底的方向与所述第二绕组的所述多匝交替。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于雅达电子国际有限公司,未经雅达电子国际有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201080002757.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。