[发明专利]薄膜晶体管阵列装置、薄膜晶体管阵列装置的制造方法

摘要

薄膜晶体管阵列装置(20)，具备底栅型的第1以及第2晶体管，源极配线(22)，配置在与第1晶体管所包含的第1源极电极(42)不同层的钝化膜上，经由设置在钝化膜上的第2孔部与第1源极电极(42)电连接，层叠在钝化膜上的导电氧化物膜覆盖从开口部露出的栅极配线(21)的端部，导电氧化物膜，介于钝化膜与源极配线(22)以及中继电极(55)之间，在源极配线(22)与中继电极(55)之间为非电连接，导电氧化物膜，介于中继电极(55)与源极电极(53)之间，使中继电极(55)与源极电极(53)电连接，中继电极(55)与钝化膜上的源极配线(22)形成在同一层，由与源极配线(22)相同的材料构成。

主权项

一种薄膜晶体管阵列装置，隔着层间绝缘膜与包含EL发光元件的EL层层叠，所述EL发光元件包括下部电极；所述薄膜晶体管阵列装置包括：基板；栅极配线，其配置于所述基板的上方；源极配线，其与所述栅极配线交叉；第1晶体管，其包括在所述基板上形成的第1源极电极；第2晶体管，其包括与所述下部电极电连接的电流供给用的电极；钝化膜，其介于所述层间绝缘膜与所述第1晶体管以及所述第2晶体管之间；和导电氧化物膜，其层叠在所述钝化膜上；所述电流供给用的电极，经由设置在所述钝化膜的第1孔部与所述下部电极电连接；所述薄膜晶体管阵列装置还包括中继电极，所述中继电极形成在所述钝化膜上的与所述第2晶体管所包含的电流供给用的电极重叠的区域，对所述电流供给用的电极与所述下部电极进行中继；所述第1晶体管以及所述第2晶体管为底栅型的晶体管；所述栅极配线，与所述第1晶体管的栅极电极电连接，配置于比所述钝化膜更下层；所述源极配线，配置在与所述第1晶体管所包含的第1源极电极不同层的所述钝化膜上，经由设置在所述钝化膜的第2孔部与所述第1源极电极电连接；所述栅极配线的端部，从设置在所述钝化膜的开口部露出，所述栅极配线的端部的露出区域成为作为与装置外部的栅极驱动电路连接的连接部的端子；层叠在所述钝化膜上的所述导电氧化物膜覆盖从所述开口部露出的所 述栅极配线的端部；所述导电氧化物膜，介于所述钝化膜与所述源极配线以及所述中继电极之间，在所述源极配线与所述中继电极之间为非电连接；所述导电氧化物膜，介于所述中继电极与所述电流供给用的电极之间，使所述中继电极与所述电流供给用的电极电连接；所述中继电极，与所述钝化膜上的所述源极配线形成在同一层，由与所述源极配线相同的材料构成。