[发明专利]半导体装置的冷却结构及具备该冷却结构的电力变换装置无效

专利信息
申请号: 201080002961.6 申请日: 2010-02-09
公开(公告)号: CN102187456A 公开(公告)日: 2011-09-14
发明(设计)人: 樋口雅人;川波靖彦;佐佐木亮 申请(专利权)人: 株式会社安川电机
主分类号: H01L23/36 分类号: H01L23/36
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 李雪春;武玉琴
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种冷却结构,能够降低冷却体和半导体间的热阻,并实现小型化。具体为,本发明的电力变换装置具有多个半导体装置,其具备:产生热量的半导体装置;及冷却单元,由通过接合材料直接搭载所述半导体装置的第1冷却体和具有比所述第1冷却体大的热容量的第2冷却体构成,通过将所述多个半导体装置容纳在绝缘性壳体中,使各半导体装置间电绝缘。
搜索关键词: 半导体 装置 冷却 结构 具备 电力 变换
【主权项】:
一种半导体装置的冷却结构,其特征在于,具备:产生热量的半导体装置;及冷却单元,由具有第1热容量并通过接合材料直接搭载所述半导体装置的第1冷却体和具有比所述第1热容量大的第2热容量的第2冷却体构成。
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