[发明专利]CVD装置有效
| 申请号： | 201080003809.X | 申请日： | 2010-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN102272352A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 吉本义明;久保田刚史 | 申请（专利权）人： | 东洋炭素株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/458 | 分类号： | C23C16/458;H01L21/683 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张宝荣 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种能够在不导致生产成本高昂及装置大型化的情况下飞跃性地提高基座的品质和生产性的CVD装置。在该CVD装置中，在通过支承部件支承碳质基材(5)的状态下向内部导入气体，由此在碳质基材(5)的表面形成SiC覆膜，所述CVD装置的特征在于，所述支承部件具备载置所述碳质基材(5)并支承碳质基材下部的下部支承部件(6)和支承所述碳质基材(5)上部的上部支承部件(13)，该上部支承部件(13)设置在所述碳质基材(5)的外周缘，并且在该上部支承部件(13)形成有V字状的槽(13d)，在由该V字状的槽(13d)构成的碳质基材配置空间(17)内，以具有充分的游隙的状态配置所述碳质基材(5)。 | ||
| 搜索关键词： | cvd 装置 | ||
【主权项】：
一种CVD装置，在通过支承部件支承碳质基材的状态下向内部导入气体，由此在碳质基材的表面形成SiC覆膜，所述CVD装置的特征在于，所述支承部件具备载置所述碳质基材并支承碳质基材下部的下部支承部件和支承所述碳质基材上部的上部支承部件，该上部支承部件设置在所述碳质基材的外周缘，并且具备两张支承板，在所述支承板之间形成的碳质基材配置空间内，以具有充分的游隙的状态配置所述碳质基材。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
