[发明专利]等离子体处理装置无效
申请号: | 201080004139.3 | 申请日: | 2010-01-08 |
公开(公告)号: | CN102272896A | 公开(公告)日: | 2011-12-07 |
发明(设计)人: | 若松贞次;龟崎厚治;菊池正志;神保洋介;江藤谦次;浅利伸;内田宽人 | 申请(专利权)人: | 株式会社爱发科 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;C23C16/455;C23C16/505;H01L31/04 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 杨晶;王琦 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 该等离子体处理装置,包括:处理室,由腔室(2)、电极法兰(4)、和绝缘法兰(81)构成,并具有反应室(α);支撑部(15),收容在所述反应室(α)内,载置有基板(10);簇射极板(5),收容在所述反应室(α)内,以与所述基板(10)对置的方式配置,并向所述基板(101)提供工艺气体;多个气体提供部(8),被设置在所述电极法兰(4)与所述簇射极板(5)之间的空间(31)内,与多个气体导入口(34)分别连通,并被配置为同心状且环状,且向所述簇射极板(5)独立提供不同组成的所述工艺气体;以及电压施加部(33),在所述簇射极板(5)与所述支撑部(15)之间施加电压。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】:
一种等离子体处理装置,包括:处理室,由腔室、具有多个气体导入口的电极法兰、和由所述腔室与所述电极法兰夹着的绝缘法兰形成,并具有反应室;支撑部,收容在所述反应室内,载置有基板,并控制所述基板的温度;簇射极板,收容在所述反应室内,以与所述基板对置的方式配置,并向所述基板提供工艺气体;多个气体提供部,被设置在所述电极法兰与所述簇射极板之间的空间内,与多个所述气体导入口分别连通,并被配置为同心状且环状,且向所述簇射极板独立提供不同组成的所述工艺气体;以及电压施加部,在所述簇射极板与所述支撑部之间施加电压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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