[发明专利]等离子体处理装置无效

专利信息
申请号: 201080004139.3 申请日: 2010-01-08
公开(公告)号: CN102272896A 公开(公告)日: 2011-12-07
发明(设计)人: 若松贞次;龟崎厚治;菊池正志;神保洋介;江藤谦次;浅利伸;内田宽人 申请(专利权)人: 株式会社爱发科
主分类号: H01L21/205 分类号: H01L21/205;C23C16/455;C23C16/505;H01L31/04
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人: 杨晶;王琦
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 该等离子体处理装置,包括:处理室,由腔室(2)、电极法兰(4)、和绝缘法兰(81)构成,并具有反应室(α);支撑部(15),收容在所述反应室(α)内,载置有基板(10);簇射极板(5),收容在所述反应室(α)内,以与所述基板(10)对置的方式配置,并向所述基板(101)提供工艺气体;多个气体提供部(8),被设置在所述电极法兰(4)与所述簇射极板(5)之间的空间(31)内,与多个气体导入口(34)分别连通,并被配置为同心状且环状,且向所述簇射极板(5)独立提供不同组成的所述工艺气体;以及电压施加部(33),在所述簇射极板(5)与所述支撑部(15)之间施加电压。
搜索关键词: 等离子体 处理 装置
【主权项】:
一种等离子体处理装置,包括:处理室,由腔室、具有多个气体导入口的电极法兰、和由所述腔室与所述电极法兰夹着的绝缘法兰形成,并具有反应室;支撑部,收容在所述反应室内,载置有基板,并控制所述基板的温度;簇射极板,收容在所述反应室内,以与所述基板对置的方式配置,并向所述基板提供工艺气体;多个气体提供部,被设置在所述电极法兰与所述簇射极板之间的空间内,与多个所述气体导入口分别连通,并被配置为同心状且环状,且向所述簇射极板独立提供不同组成的所述工艺气体;以及电压施加部,在所述簇射极板与所述支撑部之间施加电压。
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