[发明专利]光电子半导体器件无效
| 申请号： | 201080004438.7 | 申请日： | 2010-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN102272952A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 亚历山大·贝雷斯;马蒂亚斯·扎巴蒂尔 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/30;H01L33/32;H01S5/323 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;吴鹏章 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 公开了一种光电子半导体器件，其具有适于发射辐射的有源层(4)，该有源层被包覆层(3a，3b)包围，其中包覆层(3a，3b)和/或有源层(4)具有含铟的磷化物半导体材料并且磷化物半导体材料包含元素Sb或Bi中的至少一种作为第V主族的附加元素。此外，还公开了一种光电子半导体器件，其具有适于发射辐射的有源层(4)，其中有源层具有含铟的氮化物半导体材料并且氮化物半导体材料包含元素As、Sb或Bi中的至少一种作为第V主族的附加元素。 | ||
| 搜索关键词： | 光电子 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种光电子半导体器件，其具有适于发射辐射的有源层(4)，所述有源层由包覆层(3a，3b)包围，其中所述包覆层(3a，3b)和/或有源层(4)具有含铟的磷化物半导体材料并且所述磷化物半导体材料包含元素Bi或Sb中的至少一种作为第V主族的附加元素。
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