[发明专利]用于生产硅细棒的方法和设备

摘要

本发明涉及一种用于生产如在传统的西门子法中用于硅沉积的硅细棒的方法和设备。由于对用于半导体和太阳能电池的硅的需求急剧上升，对硅细棒的需求也增加。根据本发明的方法基本上对应于经典的基座法。根据本发明，所使用的感应线圈(1)具有一些围绕电流环流的中央开口(4)的另外的提拉开口(5.1，5.2，5.3，5.4)。在感应线圈(1)下方的储料棒中，产生足够均匀的温度场，使得储料棒的顶部熔化并且在(6)上产生熔池(6.1)。通过感应线圈中的另外的提拉开口，分别从熔池向上提拉薄硅棒(9.1，9.2，9.3，9.4)。与已知的现有技术不同，不通过电流环流的中央开口向上提拉棒。其他的附加提拉开口优选与中央开口同心地且与储料棒(6)的外壁之间具有足够间距地设置。如此选择这些提拉开口的间距，使得生长的薄硅棒在热学上不互相剧烈影响，从而各个薄硅棒尽可能相同地生长。所使用的硅原棒的直径越大，则可以将感应线圈的直径选择地越大，并且因此还可以设置相应越多数量的附加的提拉开口。

主权项

用于根据无坩埚的基座结晶法生产硅细棒的方法，其中，从硅原棒的上端部上的熔液中穿过扁平的感应线圈向上提拉硅细棒，所述硅原棒具有在技术上常见的直径，所述熔液通过所述扁平的、由HF电流流过的感应线圈产生，所述感应线圈具有仅仅一匝并且由具有作为馈电装置的缝隙的盘组成，其特征在于，如此修改已知的基座法，使得仅仅用于所述熔液的感应加热的所述扁平的感应线圈(1)除电流环流的中央开口(4)外还具有一些另外的提拉开口(5.1、5.2、5.3、5.4)，通过这些另外的提拉开口(5.1，5.2，5.3，5.4)各提拉一个硅细棒(9.1，9.2，9.3，9.4)。