[发明专利]磁性随机存取存储器(MRAM)的原位电阻测量有效
| 申请号： | 201080004957.3 | 申请日： | 2010-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN102282622A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 哈利·拉奥;杨赛森;朱晓春;穆罕默德·哈桑·阿布-拉赫马 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种测量MRAM存储器单元的磁性隧道结(MTJ)的电阻的方法包括将具有选定电平的电压施加到包含MTJ的存储器单元，所述MTJ与处于导通状态的存储器单元晶体管串联。确定通过所述存储器单元的电流。将可变电压施加到复制单元，所述复制单元不具有MTJ且包含处于导通状态的复制单元晶体管。确定所述可变电压的值，其中通过所述复制单元的所得电流大体上与通过所述存储器单元的所述电流相同。通过获取所述存储器单元电压与所述经确定的可变复制单元电压的差值且将所述结果除以所述经确定的存储器单元电流来计算所述MTJ电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 随机存取存储器 mram 原位 电阻 测量 | ||
【主权项】：
一种测量磁性随机存取存储器(MRAM)单元的磁性隧道结(MTJ)的电阻的方法，其包含：将具有选定电平的电压施加到包含MTJ的存储器单元，所述MTJ与处于导通状态的存储器单元晶体管串联；确定通过所述存储器单元的电流量；将可变电压施加到复制单元，所述复制单元不具有MTJ且包含处于导通状态的复制单元晶体管；确定所述可变电压的值，其中通过所述复制单元的电流量大体上与通过所述存储器单元的所述电流量相同；及通过获取所述存储器单元电压与所述经确定的可变复制单元电压之间的差值且将所述结果除以所述经确定的存储器单元电流来计算所述MTJ电阻。
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