[发明专利]太阳能电池及其制造方法、以及形成杂质区的方法无效
申请号: | 201080005000.0 | 申请日: | 2010-03-11 |
公开(公告)号: | CN102292818A | 公开(公告)日: | 2011-12-21 |
发明(设计)人: | 崔荣嫮;张在元;金亨锡 | 申请(专利权)人: | LG电子株式会社 |
主分类号: | H01L31/0256 | 分类号: | H01L31/0256 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;汤俏 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 公开了一种太阳能电池的制造方法。该制造方法包括以下步骤:在第一导电类型的基板上形成杂质层,所述杂质层具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的杂质;通过加热具有所述杂质层的所述基板,使用所述杂质层在所述基板中形成具有第一杂质浓度的第一射极部分;通过在所述杂质层的区域上照射激光束,使用所述杂质层在所述第一射极部分形成具有第二杂质浓度的第二射极部分,所述第二杂质浓度大于所述第一杂质浓度;并且形成连接到所述第二射极部分的第一电极以及连接到所述基板的第二电极。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 以及 形成 杂质 | ||
【主权项】:
一种形成太阳能电池的杂质区的方法,该方法包括以下步骤:在第一导电类型的基板上形成包含杂质的杂质层;以及通过在所述杂质层上照射激光束,使得所述杂质扩散到所述基板中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的