[发明专利]薄膜硅串叠型电池无效
| 申请号： | 201080005495.7 | 申请日： | 2010-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN102282676A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | J·拜拉特;C·卢齐厄 | 申请（专利权）人： | 欧瑞康太阳能股份公司(特吕巴赫) |
| 主分类号： | H01L31/0368 | 分类号： | H01L31/0368;H01L31/052;H01L31/075 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李进;李连涛 |
| 地址： | 瑞士特*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
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| 摘要： | 本发明提供薄膜串叠型光电电池，其包括在玻璃衬底上的前TCO(3)、作为顶部电池(5)的非晶硅电池、半透明反射层(7)、微晶硅底部电池(9)。其中，半透明反射层(7)具有折射率低于1.7的n-掺杂的氧化硅。非晶硅顶部电池(5)的厚度低于200nm。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 硅串叠型 电池 | ||
【主权项】：
薄膜硅串叠型电池，其包括：●玻璃衬底，其对入射光透明，所述入射光待由所述电池光电转化；在其上●透明导电氧化物顶层；在其上●非晶硅顶部电池；在其上●半透明反射层，其反射在500‑750nm的波长谱中的光；在其上●微晶底部电池；在其上●透明导电氧化物底层；在其上白光反射体，其中：☆所述半透明反射层具有n‑掺杂的氧化硅且具有低于1.7的折射率n，和☆所述非晶硅顶部电池的厚度低于200nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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