[发明专利]EUV光刻用反射型掩模基板的制造方法无效
| 申请号： | 201080005564.4 | 申请日： | 2010-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN102292807A | 公开（公告）日： | 2011-12-21 |
| 发明（设计）人： | 木下健;伊势博利 | 申请（专利权）人： | 旭硝子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H02N13/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 胡烨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供静电吸盘和玻璃衬底之间因夹杂颗粒等异物而对玻璃衬底表面或吸盘面造成损伤这一情况的发生得到抑制的EUV掩模基板的制造方法。该EUV掩模基板的制造方法的特征在于，吸附保持玻璃衬底的静电吸盘在主体上依次具备由有机高分子膜形成的下部电介质层、由导电性材料形成的电极部及由有机高分子膜形成的上部电介质层，所述电极部包括正电极和负电极。 | ||
| 搜索关键词： | euv 光刻 反射 型掩模基板 制造 方法 | ||
【主权项】：
EUVL用反射型掩模基板的制造方法，该方法是用静电吸盘吸附保持玻璃衬底，通过溅射法在所述玻璃衬底上至少依次形成反射EUV光的反射层及吸收EUV光的吸收层的EUV光刻(EUVL)用反射型掩模基板的制造方法，其特征在于，所述静电吸盘在主体上依次具备由有机高分子膜形成的下部电介质层、由导电性材料形成的电极部及由有机高分子膜形成的上部电介质层，所述电极部包括正电极和负电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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