[发明专利]用于在芯片内放置有源和无源装置的技术无效
申请号: | 201080005706.7 | 申请日: | 2010-02-03 |
公开(公告)号: | CN102301472A | 公开(公告)日: | 2011-12-28 |
发明(设计)人: | 托马斯·R·汤姆斯;马修·诺瓦克;金郑海;顾时群;布雷恩·马修·亨德森 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06;H01L21/768;H01L23/48;H01L21/02;H01L21/98;H01L23/498 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 宋献涛 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种半导体裸片(300)包括:半导电衬底层(302),其具有第一和第二侧面;金属层,其邻近于所述半导电衬底层的所述第二侧面;一个或一个以上有源装置(305),其位于所述半导电衬底层的所述第一侧面上的有源层(306)中;以及无源装置(310),其位于所述金属层中,与所述有源层电连通。所述无源装置可通过穿硅通孔(TSV)(321、322)电耦合到所述有源层。 | ||
搜索关键词: | 用于 芯片 放置 有源 无源 装置 技术 | ||
【主权项】:
一种半导体裸片,其包含:半导电衬底层,其具有第一和第二侧面;金属层,其邻近于所述半导电衬底层的所述第二侧面;有源层,其安置于所述半导电衬底层的所述第一侧面上;以及无源装置,其位于所述金属层中,其适于耦合到所述有源层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的