[发明专利]包含形成图案的结构区域的化学机械平坦化垫在审
| 申请号： | 201080005722.6 | 申请日： | 2010-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN102301455A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 保罗·莱弗瑞;阿努波·马修;斯科特·欣·乔;吴光伟;大卫·亚当·韦尔斯;奥斯卡·K·苏 | 申请（专利权）人： | 因诺派德公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 王达佐;阴亮 |
| 地址： | 美国麻*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明的一个方面涉及化学机械平坦化垫，其包含第一区域和连续的第二区域，其中所述第一区域包含在连续的第二区域内规则间隔的分立元件。通过在垫的连续的第二区域内部形成用于第一区域的多个开口来形成所述垫，其中所述开口在第二区域内规则间隔，并在连续的第二区域的多个开口内形成所述第一区域。此外，可在使用抛光浆液对基底进行抛光中应用所述垫。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 形成 图案 结构 区域 化学 机械 平坦 | ||
【主权项】：
化学机械平坦化垫，其包括：第一区域；以及连续的第二区域，其中所述第一区域包含在所述连续的第二区域内规则间隔的分立元件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
