[发明专利]光电转换装置和光电转换装置的制造方法

摘要

一种光电转换装置(100)包括：被设置在半导体基板(SB)中的多个光电转换单元(PD)；和被设置在半导体基板中的隔离部(103、104、105、106)。各光电转换单元包含：第二半导体区域(107)；被设置在第二半导体区域之下的第三半导体区域(109)和被设置在第三半导体区域之下的第四半导体区域(102)，并且，各隔离部包含：被设置在比半导体基板的表面更深的位置并且至少在第二半导体区域的侧方延伸的包含第一导电类型杂质的第五半导体区域(104)；和被设置在第五半导体区域之下并且至少在第三半导体区域的侧方延伸的包含第一导电类型杂质的第六半导体区域(105)，并且，包含于第五半导体区域中的杂质的扩散系数比包含于第六半导体区域中的杂质的扩散系数低。

主权项

一种光电转换装置，包括：被设置在半导体基板中的多个光电转换单元；和被设置在所述半导体基板中以将所述多个光电转换单元相互隔离的隔离部，其中，各光电转换单元包含：第二半导体区域，包含导电类型与第一导电类型相反的第二导电类型杂质；第三半导体区域，被设置在第二半导体区域之下，包含浓度比第二半导体区域低的第二导电类型杂质；以及第四半导体区域，被设置在第三半导体区域之下，包含第一导电类型杂质，并且，各隔离部包含：第五半导体区域，被设置在比所述半导体基板的表面更深的位置并且至少在第二半导体区域的侧方延伸，包含第一导电类型杂质；以及第六半导体区域，被设置在第五半导体区域之下并且至少在第三半导体区域的侧方延伸，包含第一导电类型杂质，并且，包含于第五半导体区域中的杂质的扩散系数比包含于第六半导体区域中的杂质的扩散系数低。