[发明专利]高速度低功率消耗的隔离模拟互补金属氧化物半导体单元有效
| 申请号： | 201080006272.2 | 申请日： | 2010-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN102301483A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 蔡军 | 申请（专利权）人： | 飞兆半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置(100)，其具有固持PMOS装置(110、112)的N-阱区域(18)及固持NMOS装置(114、116)的P型区域(14)。装置(110)及(114)具有高阈值，且装置(112)及(116)具有低阈值。所述PMOS装置通过所述N-阱(18)与衬底(10)结隔离，且所述NMOS装置通过N型层(13)与所述衬底隔离。场氧化物区域(20)横向隔离所述PMOS装置与所述NMOS装置。所述高阈值CMOS装置(110、114)将所述低阈值CMOS装置连接到相对轨道Vdd及Vss。控制端子(121)接通所述高阈值装置以使所述低阈值装置快速切换。在备用模式中，所述高阈值装置关断且存在非常低的泄漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 高速度 功率 消耗 隔离 模拟 互补 金属 氧化物 半导体 单元 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其包括：高阈值及低阈值PMOS装置，其形成于N型区域上方，所述高阈值PMOS装置具有安置于N 主体中的P+源极，且所述高阈值PMOS的漏极以及所述低阈值PMOS的源极及漏极形成于由N 缓冲物环绕的P 缓冲物中；高阈值及低阈值NMOS装置，其形成于P型区域中，所述高阈值NMOS装置具有安置于P 主体中的N+源极，且所述高阈值NMOS的漏极以及所述低阈值NMOS的源极及漏极形成于由P 缓冲物环绕的N 缓冲物中，其中低阈值电压由低阈值晶体管的源极及漏极区域以及其相应的相反极性的环绕区域中的所述缓冲物建立。
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