[发明专利]用于厚壁管的配件及其制造方法

摘要

本实用新型公开了一种具有全背面铝导电反射器的晶体硅太阳电池，包括正面电极、SiN减反射膜、N型扩散层、P型基底、背面场、铝导电膜和背面电极，所述P型基底表面为平面，所述P型基底表面通过PVD沉积一层铝导电膜，所述铝导电膜全覆盖于P型基底表面，所述铝导电膜厚度为100nm～2um，所述铝导电膜和背面电极组成全背面铝导电反射器。本实用新型大大增加了具有场钝化效果的背面场的面积，能够将晶体硅太阳电池的转换效率提高0.1个百分点以上。

主权项

一种具有全背面铝导电反射器的晶体硅太阳电池，包括正面电极（1）、SiN减反射膜（2）、N型扩散层（3）、P型基底（4）、背面场（5）、铝导电膜（6）和背面电极（7），其特征在于：所述P型基底（4）表面为平面，所述P型基底（4）表面通过PVD沉积一层铝导电膜（6），所述铝导电膜（6）全覆盖于P型基底（4）表面，所述铝导电膜（6）厚度为100nm～2um，所述铝导电膜（6）和背面电极（7）组成全背面铝导电反射器。