[发明专利]适于局部给药的包含咪唑喹啉(胺)及其衍生物的药物组合物有效
| 申请号： | 201080006838.1 | 申请日： | 2014-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN204011434U | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | 刘景全;郭杰 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 郭国中 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种基于分离栅电极的栅控PN结，包括栅区、源区、漏区、沟道区和衬底，栅区位于沟道区的下方，栅区包括栅介质和栅电极，栅电极由分离的第一栅电极和第二栅电极构成，第一栅电极和第二栅电极位于栅介质下方且位于衬底之上，栅介质由对离子导电对、电子绝缘的固态多孔材料作为栅介质层，栅介质与沟道区的界面形成一个理论厚度只有1nm的双电层电容，使得器件可以在较低的栅压下对沟道区静电掺杂，源区和漏区位于沟道区的两侧，源区、漏区和栅区设置在衬底之上。本实用新型采用分离栅电极结构，通过控制第一栅电极和第二栅电极的电压极性，可以实现NP、PN、NN、PP等多种构造。 | ||
| 搜索关键词： | 适于 局部 包含 咪唑 喹啉 及其 衍生物 药物 组合 | ||
【主权项】：
一种基于分离栅电极的栅控PN结，包括栅区、源区、漏区、沟道区和衬底，其特征在于，所述栅区位于所述沟道区的下方，所述栅区包括栅介质和栅电极，所述栅电极由分离的第一栅电极和第二栅电极构成，第一栅电极和第二栅电极位于栅介质下方且位于所述衬底之上，所述源区和所述漏区位于所述沟道区的两侧，所述源区、所述漏区和所述栅区设置在所述衬底之上。
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