[发明专利]高电阻硅的硅技术中的滤波网络

摘要

本发明涉及一种HR-Si硅技术中的滤波网络，其通过至少一个截止频率FC限定，并且包括：用于接收要被滤波的信号的输入端子P1以及用于传递滤波信号的输出端子P2。网络包括第一接地线M1，其通过其端部与直接连接到接地平面的第一和第二接地点Gr1、Gr2相连接；第二接地线M2，其经由其端部与直接连接到接地平面的第三和第四接地点Gr3、Gr4相连接；多个L/C谐振元件Lr1/Cr1、Lr2/Cr2、Lr3/Cr3，其以并联方式连接并且其经由一端部链接到两条接地线L1、L2之一并且经由另一端借助于耦接电感Ls1、Ls2、Ls3链接在它们之间，由此创建传输零点。由于每条接地线(M1、M2)由电感形成电感元件(Lm1，Lm2，Lm3)，网络包括与至少一些所述电感元件(Lm1、Lm2、Lm3)相串联的电容元件(Cm1，Cr’1)，选取电容元件的电容使得串联的电感和电容元件的谐振频率与处于通带以外的频率对应。

主权项

一种HR‑Si硅技术中的滤波网络，其通过至少一个截止频率(fc)限定，并且包括：输入端子(P1)，其用于接收要被滤波的信号；以及输出端子(P2)，其用于提供滤波信号，第一接地线(M1)，其通过其端部连接至第一和第二接地点(Gr1)、(Gr2)；第二接地线(M2)，其经由其端部连接至第三和第四接地点(Gr3)、(Gr4)；多个L/C谐振元件(Lr1/Cr1、Lr2/Cr2、Lr3/Cr3)，其以并联方式连接，并且经由一端部链接到两条接地线(L1，L2)之一，经由另一端部借助于耦接电感(Ls1，Ls2，Ls3)链接在它们之间，由此创建传输零点，其特征在于每条接地线(M1，M2)形成电感元件(Lm1，Lm2，Lm3)，网络包括与至少一些所述电感元件(Lm1，Lm2，Lm3)相串联的电容元件(Cm1，Cr’1)，选择电容元件的值使得串联的电感和电容元件的谐振频率与处于带宽以外的频率对应。