[发明专利]Cu膜的成膜方法和存储介质无效
| 申请号： | 201080008213.9 | 申请日： | 2010-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN102317499A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 小岛康彦;桧皮贤治 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/18 | 分类号： | C23C16/18;C23C16/16;H01L21/28;H01L21/285;H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/52 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在腔室(1)内收纳具有CVD-Ru膜的晶片W，在腔室(1)内以气相状态导入含有作为Cu配位化合物的Cu(hfac)TMVS的成膜原料，其中，作为成膜中产生的副产物Cu(hfac)2的蒸汽压低于成膜原料的蒸汽压，在形成于晶片W的CVD-Ru膜上形成CVD-Cu膜时，将腔室1内压力控制为吸附于CVD-Ru膜表面的Cu(hfac)2的进行脱离和扩散的压力。 | ||
| 搜索关键词： | cu 方法 存储 介质 | ||
【主权项】：
一种Cu膜的成膜方法，其特征在于，包括：在处理容器内收纳基板的工序；在所述处理容器内，以气相状态导入含有Cu配位化合物的成膜原料的工序，其中，成膜中产生的副产物的蒸汽压低于成膜原料的蒸汽压；将所述处理容器内的压力控制为吸附于基板上的所述副产物进行脱离和扩散的压力的工序；和使所述气相状态的成膜原料在基板上分解，通过CVD法在基板上沉积Cu，形成Cu膜的工序。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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