[发明专利]用于光子器件的透明基材无效
申请号: | 201080008687.3 | 申请日: | 2010-02-19 |
公开(公告)号: | CN102326274A | 公开(公告)日: | 2012-01-18 |
发明(设计)人: | B·多莫克;P·罗奎尼;D·德克鲁普特 | 申请(专利权)人: | 旭硝子欧洲玻璃公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/10;C03C17/36 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 杨勇 |
地址: | 比利时*** | 国省代码: | 比利时;BE |
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摘要: | 用于光子器件的透明基材(1),该基材包含载体(10)和电极(11),所述电极(11)包含叠层结构,该叠层结构包含单一的金属导电层(112)和至少一个涂层(110),所述涂层具有改善通过所述电极的光透射的性能,所述涂层(110)具有至少大于3nm并且至多小于或等于200nm的几何厚度,所述涂层(110)包含至少一个改善光透射的层(1101)并位于金属导电层(112)和载体(10)之间,所述电极(11)沉积于所述载体上,其中具有改善光透射的性能的涂层(110)的光学厚度T01和金属导电层(112)的几何厚度TME由以下关系关联:TME=TME_0+B*sin(П*TD1/TD1_0)/n3载体,其中TME_0、B和TD1_0为常数,TME_0具有在10.0至25.0nm范围内的值,B具有在10.0至16.5范围内的值,并且TD1_0具有在23.9*nD1nm至28.3*nD1nm范围内的值,nD1表示改善光透射的涂层在550nm的波长下的折射率,n载体表示载体在550nm的波长下的折射率。 | ||
搜索关键词: | 用于 光子 器件 透明 基材 | ||
【主权项】:
用于光子器件的透明基材(1),该基材包含载体(10)和电极(11),所述电极(11)包含叠层结构,该叠层结构包含单一的金属导电层(112)和至少一个涂层(110),所述涂层具有改善通过所述电极的光透射的性能,所述涂层(110)具有至少大于3nm并且至多小于或等于200nm的几何厚度,所述涂层(110)包含至少一个改善光透射的层(1101)并位于金属导电层(112)和载体(10)之间,所述电极(11)沉积于所述载体上,其特征在于具有改善光透射的性能的涂层(110)的光学厚度TD1和金属导电层(112)的几何厚度TME由以下关系关联:TME=TME_0+B*sin(∏*TD1/TD1_0)/n3载体其中TME_0、B和TD1_0为常数,TME_0具有在10.0至25.0nm范围内的值,B具有在10.0至16.5范围内的值,并且TD1_0具有在23.9*nD1nm至28.3*nD1nm范围内的值,nD1表示改善光透射的涂层在550nm的波长下的折射率,n载体表示载体在550nm的波长下的折射率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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