[发明专利]沉积具有低界面污染的层的方法无效
| 申请号： | 201080008855.9 | 申请日： | 2010-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN102326229A | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | 简·R·瓦图斯;唐劲松;金以宽;萨瑟施·库珀奥;埃罗尔·桑切斯 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/205;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;钟强 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了沉积具有低界面污染的层的方法。本发明的方法可有利地降低沉积层之间的界面处污染，界面例如在沉积层与下方基板或薄膜之间。在某些实施例中，沉积层的方法可包括在还原气氛中将含硅层退火，所述含硅层上设置有第一层；在退火后利用蚀刻工艺来去除第一层以暴露含硅层；以及将第二层沉积在暴露的含硅层上。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 具有 界面 污染 方法 | ||
【主权项】：
一种沉积层的方法，包括以下步骤：在还原气氛中将含硅层退火，所述含硅层上设置有第一层；在退火后利用蚀刻工艺来去除所述第一层以暴露所述含硅层；以及将第二层沉积在暴露的含硅层上。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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