[发明专利]真空加热装置、真空加热处理方法有效
申请号: | 201080009467.2 | 申请日: | 2010-02-26 |
公开(公告)号: | CN102334178A | 公开(公告)日: | 2012-01-25 |
发明(设计)人: | 吉元刚;山根克己;大野哲宏;沟口贵浩 | 申请(专利权)人: | 株式会社爱发科 |
主分类号: | H01L21/26 | 分类号: | H01L21/26 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 王岳;王忠忠 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明中,即使由并联连接的加热灯构成的负载为3的倍数以外个,也能够以在一次侧没有负担的方式均等地施加电压。在负载(65)中,分为3的倍数的个数和2的倍数的个数,将三个一次绕组进行Y接线或△接线并施加三相交流电压,在多个三相变压器内的与一次绕组分别磁耦合的同一匝数的二次绕组(42)上连接3的倍数个数的负载,在斯科特变压器内的将M座一次绕组的匝数二分割的中点,连接M座一次绕组的()/2倍的匝数的T座一次绕组的一端并施加三相交流电压,在一个以上的斯科特变压器内的与M座一次绕组和T座一次绕组分别磁耦合的相同匝数的二次绕组(42)上,连接2的倍数的负载,不会出现未连接有负载(65)的二次绕组(42)。能够不增大一次侧的负担地对加热灯(15)均等地施加交流电压。 | ||
搜索关键词: | 真空 加热 装置 处理 方法 | ||
【主权项】:
1.一种真空加热装置,其具有:电压变换装置,其被输入三相交流电源所输出的三相交流电压,并将所述三相交流电压的大小被变换后的交流电压作为二次电压输出;以及多个负载,其各设置有规定个数的能并联通电的加热灯,对所述加热灯输入所述二次电压,从所述加热灯放射热射线,其中,所述真空加热装置构成为:所述电压变换装置具有:三相变压器,其具有进行Y接线或△接线并被施加三相交流电压的三个一次绕组、和与所述一次绕组分别磁耦合的三个二次绕组,一个所述二次绕组向一个所述负载分别供给电力;以及斯科特变压器,其具有M座变压器和T座变压器,所述M座变压器内的M座一次绕组的两端与作为所述三相交流电压中的任一相的、相互不同的一相分别连接,所述T座变压器内的T座一次绕组的一端连接于将所述M座一次绕组的匝数二分割的中点,另一端连接于所述三相交流电压中剩余的一相,与所述M座一次绕组磁耦合的二次绕组和与所述T座一次绕组磁耦合的二次绕组做成相同的匝数,所述T座一次绕组做成所述M座一次绕组的()/2倍的匝数,使用多个所述三相变压器和一个以上的所述斯科特变压器,选择当进行合计时成为负载的个数N的3的倍数p和2的倍数q,对所述3的倍数p个负载通过所述三相变压器供给电力,对所述2的倍数q个负载通过所述斯科特变压器供给电力,使所述加热灯发热。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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