[发明专利]发光器件的制造方法有效
申请号: | 201080009478.0 | 申请日: | 2010-02-25 |
公开(公告)号: | CN102334203A | 公开(公告)日: | 2012-01-25 |
发明(设计)人: | 文用泰 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L33/02 | 分类号: | H01L33/02;H01L33/12 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 夏凯;谢丽娜 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供了一种用于制造发光器件的方法。该方法包括形成镓氧化物层;在镓氧化物层上形成第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层;在第二导电类型半导体层上形成导电衬底;分离所述镓氧化物层;以及在所述第一导电类型半导体层上形成第一电极。 | ||
搜索关键词: | 发光 器件 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种用于制造发光器件(LED)的方法,所述方法包括:形成镓氧化物层;在所述镓氧化物层上形成第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层;在所述第二导电类型半导体层上形成第二电极层;以及分离所述镓氧化物层。
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