[发明专利]太阳能级硅的制备方法无效
| 申请号： | 201080009534.0 | 申请日： | 2010-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN102333726A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 哈山恩·塔沙格 | 申请（专利权）人： | 哈山恩·塔沙格 |
| 主分类号： | C01B33/02 | 分类号： | C01B33/02;C01B33/037;C30B17/00;C30B29/06;C30B9/10 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何冲;曾旻辉 |
| 地址： | 挪威*** | 国省代码： | 挪威;NO |
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| 摘要： | 本发明涉及太阳能级硅的制备方法，该方法包括，在含有硅的过共晶二元或三元合金中，或在精制硅熔体中，结晶出大的高纯度硅晶体，其中将小的硅晶体加入所述熔体中，并将得到的大的硅晶体从所述熔体中分离出。可通过离心作用或过滤进行分离。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳 能级 制备 方法 | ||
【主权项】：
太阳能级硅的制备方法，包括：在含有硅的过共晶熔融二元或三元合金中，或在精制硅熔体中，结晶出大的高纯度硅晶体，其中，将小的硅晶体加入所述熔体中，并将得到的大的硅晶体从所述熔体中分离出。
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