[发明专利]氮化物系半导体发光元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201080009597.6 | 申请日： | 2010-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN102334204A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 井上彰;岩永顺子;加藤亮;藤金正树;横川俊哉 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种氮化物系半导体发光元件(31)，具有如下：以m面为主面的n型GaN基板(1)；n型GaN基板(1)之上接触而形成的电流扩散层(7)；在电流扩散层(7)之上形成的n型氮化物半导体层(2)；在n型氮化物半导体层(2)之上形成的活性层(3)；在活性层(3)之上形成的p型氮化物半导体层(4)；与p型氮化物半导体层(4)接触而形成的p侧电极(5)；与n型GaN基板(1)或n型氮化物半导体层(2)接触而形成的n侧电极(6)，其中，n型氮化物半导体层(2)的施主杂质浓度为5×1018cm-3以下，并且，电流扩散层(7)的施主杂质浓度是n型氮化物半导体层(2)的施主杂质浓度的10倍以上。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物系半导体发光元件，其中，具有：以m面为主面的n型GaN基板；在所述n型GaN基板之上以接触的方式所形成的电流扩散层；在所述电流扩散层之上形成的n型氮化物半导体层；在所述n型氮化物半导体层之上形成的活性层；在所述活性层之上形成的p型氮化物半导体层；以与所述p型氮化物半导体层接触的方式形成的p侧电极；和以与所述n型GaN基板或所述n型氮化物半导体层接触的方式所形成的n侧电极，并且，所述n型氮化物半导体层的施主杂质浓度为5×1018cm‑3以下，所述电流扩散层的施主杂质浓度是所述n型氮化物半导体层的施主杂质浓度的10倍以上。
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