[发明专利]Ⅲ族氮化物半导体激光元件、及制作Ⅲ族氮化物半导体激光元件的方法

摘要

本发明提供一种在六方晶系III族氮化物的c轴朝m轴的方向倾斜的支持基体的半极性面上，具有较高的振荡良率的激光共振器的III族氮化物半导体激光元件。成为激光共振器的第1及第2割断面27、29与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光元件11具有在m-n面与半极性面17a的交叉线的方向上延伸的激光波导。因此，可利用能够成为低阈值电流的带间跃迁的发光。在激光构造体13中，第1面13a为第2面13b的相反侧的面。第1及第2割断面27、29从第1面13a的边缘13c延伸至第2面13b的边缘13d为止。割断面27、29并非通过干式蚀刻形成，与c面、m面或a面等以往的裂面不同。

主权项

一种III族氮化物半导体激光元件，其特征在于，包含：激光构造体，包括由六方晶系III族氮化物半导体构成且具有半极性主面的支持基体、以及设置于上述支持基体的上述半极性主面上的半导体区域；以及电极，设置于上述激光构造体的上述半导体区域上，上述半导体区域包括：第1包覆层，由第1导电型的氮化镓系半导体构成；第2包覆层，由第2导电型的氮化镓系半导体构成；及活性层，设置于上述第1包覆层与上述第2包覆层之间，上述第1包覆层、上述第2包覆层及上述活性层沿着上述半极性主面的法线轴排列，上述活性层包含氮化镓系半导体层，上述支持基体的上述六方晶系III族氮化物半导体的c轴朝向上述六方晶系III族氮化物半导体的m轴的方向，相对于上述法线轴以有限的角度ALPHA倾斜，上述角度ALPHA为45度以上80度以下或100度以上135度以下的范围，上述激光构造体包含与由上述六方晶系III族氮化物半导体的m轴及上述法线轴所规定的m‑n面交叉的第1及第2割断面，该III族氮化物半导体激光元件的激光共振器包含上述第1及第2割断面，上述激光构造体包含第1及第2面，上述第1面为上述第2面的相反侧的面，上述第1及第2割断面分别自上述第1面的边缘延伸至上述第2面的边缘为止，在上述第1及第2割断面上分别出现上述支持基体的端面及上述半导体区域的端面，将L设为4以上的整数，上述第1及第2割断面包含处于从以面指数(‑1，0，1，L)或(1，0，‑1，‑L)所表示的面起±5度的范围内的区域。