[发明专利]照射系统、光刻设备以及形成照射模式的方法有效
| 申请号： | 201080009961.9 | 申请日： | 2010-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN102341754A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | E·鲁普斯特拉;克恩·万英根谢诺;J·范斯库特;C·瓦格纳;戈斯·德弗里斯 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G02B7/18;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴敬莲 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 提供一种光刻设备的照射系统，所述照射系统具有多个反射元件，反射元件布置成接收来自辐射源的辐射，反射元件在不同取向之间是可移动的。在不同的取向中，反射元件引导辐射朝向照射系统的光瞳平面内的反射部件处的不同部位，由此形成不同的照射模式。每个反射元件在将辐射引导朝向光瞳平面处的第一部位的第一取向和将辐射引导朝向光瞳平面处的第二部位的第二取向之间是可移动的，反射元件的第一取向和第二取向由端部限位件限定。 | ||
| 搜索关键词： | 照射 系统 光刻 设备 以及 形成 模式 方法 | ||
【主权项】：
一种照射系统，具有多个反射元件，所述反射元件在将辐射引导朝向光瞳平面内的不同部位的不同取向之间是可移动的，由此形成不同的照射模式，其中每个反射元件在将辐射引导朝向光瞳平面处的第一相关部位的相应的第一取向和将辐射引导朝向光瞳平面处的第二相关部位的相应的第二取向之间是可移动的，所述反射元件的相应的第一取向和相应的第二取向由端部限位件限定。
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