[发明专利]MEMS器件有效
| 申请号： | 201080010078.1 | 申请日： | 2010-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN102341341A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 马丁·古森思;希尔柯·瑟伊;皮特·杰勒德·斯蒂内肯;约瑟夫·托马斯·马丁内斯·范贝克 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种MEMS器件包括相对的第一和第二电极结构(22、28)，其中所述第二电极结构(28)是电动的，以便改变第一和第二电极结构的相对面之间的电极间隔。所述相对面中的至少一个具有非平坦表面，所述非平坦表面具有至少一个波峰和至少一个波谷。所述波峰的高度和波谷的深度在0.01t至0.1t之间，其中t是所述可移动电极的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | mems 器件 | ||
【主权项】：
一种MEMS器件，包括：相对的第一和第二电极结构(22、28)，其中所述第二电极结构(28)是电动的，以便改变第一和第二电极结构的相对面之间的电极间隔，其中所述相对面中的至少一个具有非平坦表面(30)，所述非平坦表面具有至少一个波峰和至少一个波谷，其中所述第二电极结构(28)具有范围在1至10μm的厚度t，以及其中所述波峰的高度和所述波谷的深度在0.01t至0.1t之间。
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