[发明专利]包含硼的III族氮化物发光器件

摘要

本发明的实施例包含一种III族氮化物半导体结构，其包括布置在n型区域（14）和p型区域之间的发光区域（16）。发光区域（18）中的至少一个层为Bx(InyGa1-y)1-xN。在一些实施例中，x小于14%。在一些实施例中，BN组份选择为使得Bx(InyGa1-y)1-xN层与可比较的InGaN层具有相同的带隙能量，其体晶格常数等于或小于可比较的InGaN层。

主权项

一种结构，该结构包括：III族氮化物半导体结构，其包括布置在n型区域和p型区域之间的发光区域，其中：该发光区域中的至少一个层为Bx(InyGa1‑y)1‑xN；所述Bx(InyGa1‑y)1‑xN层具有带隙能量和体晶格常数，所述体晶格常数对应于与Bx(InyGa1‑y)1‑xN发光层具有相同组份的弛豫层的晶格常数；与所述Bx(InyGa1‑y)1‑xN层具有相同带隙能量的InGaN层具有对应于与该InGaN层具有相同组份的弛豫层的晶格常数的体晶格常数；并且所述Bx(InyGa1‑y)1‑xN层的体晶格常数小于所述InGaN层的体晶格常数。