[发明专利]使用先介电键合后通孔形成的三维集成电路的集成在审
| 申请号： | 201080010340.2 | 申请日： | 2010-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN102341907A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | M·G·法鲁;R·汉侬;S·S·伊耶;E·R·金瑟 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L23/04 | 分类号： | H01L23/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种实现多个集成电路(IC)器件的三维(3D)集成的方法，包括在第一IC器件之上形成第一绝缘层(120)；在第二IC器件之上形成第二绝缘层(220)；通过使第一绝缘层与第二绝缘层对准并键合以便将第一键合界面(302)界定于它们之间来形成3D键合的IC器件，将第一组通孔(306)界定于该3D键合的IC器件之内，第一组通孔着落在位于第一IC器件之内的导电焊盘(110)之上，以及将第二组通孔(306)界定于该3D键合的IC器件之内，第二组通孔着落在位于第二器件之内的导电焊盘(210)之上，使得第二组通孔穿过键合界面(302)；以及以导电材料(310)填充第一和第二组通孔。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 电键 合后通孔 形成 三维集成电路 集成 | ||
【主权项】：
一种实现多个集成电路(IC)器件的三维(3D)集成的方法，所述方法包括：在第一IC器件之上形成第一绝缘层(120)；在第二IC器件之上形成第二绝缘层(220)；通过使所述第一IC器件的所述第一绝缘层(120)与所述第二IC器件的所述第二绝缘层(220)对准并键合以便将第一键合界面(302)界定于它们之间来形成3D键合的IC器件，其中所述第一键合界面不含导电材料；在所述键合之后，将第一组通孔(306)界定于所述3D键合的IC器件之内，所述第一组通孔着落在位于所述第一IC器件之内的导电焊盘(110)之上，以及将第二组通孔(308)界定于所述3D键合的IC器件之内，所述第二组通孔着落在位于所述第二IC器件之内的导电焊盘(210)之上，使得所述第二组通孔穿过所述第一键合界面(302)；以及以导电材料(310)填充所述第一和第二组通孔，并将所述第一组通孔中的至少一个通孔电连接(314)至所述第二组通孔中的至少一个通孔，由此建立在所述3D键合的IC器件的所述第一和第二IC之间的电通信。
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