[发明专利]结构化硅晶片的方法、用于它的处理液及其应用无效
| 申请号： | 201080010477.8 | 申请日： | 2010-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN102405529A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | I·马赫尔 | 申请（专利权）人： | 吉布尔.施密德有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘维升;艾尼瓦尔 |
| 地址： | 德国弗罗*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 对在太阳能电池生产中的硅晶片处理的方法中，为了将其结构化的目的，将处理液施加于硅晶片的表面。所述处理液包含含量为0.5％-3％重量百分比的乙基正己醇或环己醇作为添加剂。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 晶片 方法 用于 处理 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种对用于太阳能电池生产的硅晶片处理的方法，其中：为了将其结构化的目的，在硅晶片的表面施加处理液，所述处理液包含添加剂，其特征在于，所述处理液中包含乙基正己醇或环己醇作为添加剂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
