[发明专利]光电转换元件及其制造方法,光学传感器和太阳能电池无效
申请号: | 201080010875.X | 申请日: | 2010-03-04 |
公开(公告)号: | CN102341952A | 公开(公告)日: | 2012-02-01 |
发明(设计)人: | 中原谦太郎;小林宪司;须黑雅博;中村新 | 申请(专利权)人: | 日本电气株式会社 |
主分类号: | H01M14/00 | 分类号: | H01M14/00;H01L31/04 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 陈海涛;樊卫民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: |
本发明提供一种光电转换元件,其包含含半导体层(103)和染料的半导体电极(108)、对电极(109)以及布置在所述半导体电极(108)和所述对电极(109)之间的电解质层(104),其中所述染料含有由通式1表示的化合物。(其中通式1中的A表示取代或未取代的芳基,且可含有氧、氮、硫、硅、磷、硼或卤素原子中的一个或多个原子,且所述芳基可通过将多个芳基稠合而得到)。 |
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搜索关键词: | 光电 转换 元件 及其 制造 方法 光学 传感器 太阳能电池 | ||
【主权项】:
1.一种光电转换元件,其包含:包含半导体层和染料的半导体电极;对电极;以及布置在所述半导体电极和所述对电极之间的电解质层,其中所述染料含有由通式1表示的化合物:
(其中通式1中的A表示取代或未取代的芳基,且可含有氧、氮、硫、硅、磷、硼或卤素中的一个或多个原子,且所述芳基可通过将多个芳基稠合而得到)。
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