[发明专利]在磁存储器中的被包敷的导线的结构及制造方法有效
| 申请号： | 201080010948.5 | 申请日： | 2010-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN102349110A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | K·H·史密斯;N·D·里佐;S·阿加瓦尔;A·斯安赛奥;B·R·巴特切尔 | 申请（专利权）人： | 艾沃思宾技术公司 |
| 主分类号： | G11C11/00 | 分类号： | G11C11/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 党建华 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种形成磁电子器件的方法，包括：形成围绕磁位的电介质材料；以不暴露所述磁位的方式，蚀刻所述电介质材料以在所述磁位上限定开口，所述开口具有侧壁；在所述电介质材料上方、包括在所述侧壁上方沉积包敷材料的覆盖层；通过溅射工艺去除所述开口底部的所述覆盖层和在所述磁位上方的所述电介质材料；以及在所述开口内形成导电材料以形成位线。这样的工艺降低了由于工艺不规则性导致的错误，该工艺不规则性例如是位的边缘的突出从而引起的形成于其上方的包敷层中的缺陷。这样形成的位线或数字线可以是可选地在其端部逐渐变细，以防止在位线或数字线的端部没有逐渐变细情况下，由于外部磁场导致的可能会发生的该位线的磁矩的反向磁化。 | ||
| 搜索关键词： | 磁存储器 中的 被包敷 导线 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种形成磁电子器件的方法，包括：形成围绕磁位的电介质材料；以不暴露所述磁位的方式，蚀刻所述电介质材料以在所述磁位上方限定开口，所述开口具有侧壁；在所述电介质材料上方、包括在所述侧壁上方沉积包敷材料的覆盖层；通过溅射工艺去除所述开口底部的所述覆盖层和在所述磁位上方的所述电介质以暴露出所述磁位；以及在所述开口内形成导电材料以形成位线。
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