[发明专利]用于测量在半导体芯片接合期间的静电放电(ESD)事件的量值的电路无效

专利信息
申请号: 201080010981.8 申请日: 2010-03-09
公开(公告)号: CN102341713A 公开(公告)日: 2012-02-01
发明(设计)人: 尤金·R·沃利;布雷恩·马修·亨德森 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: G01R29/22 分类号: G01R29/22;G01R31/00
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 宋献涛
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种用于记录在半导体组装期间的ESD事件的量值的电路包括连接于输入与接地之间的分压器。所述电路还包括具有记录器装置的测量块。每一测量块从所述分压器的一区段接收电流。所述ESD事件的所述量值是基于在所述ESD事件后的对测量装置的读出来确定。所述记录器装置可为将在所述ESD事件期间被损坏的电容器。在所述ESD事件期间,所述电容器可能被损坏。读出所述记录器装置确定所述ESD事件的所述量值是否超过损坏所述电容器的阈值量值。
搜索关键词: 用于 测量 半导体 芯片 接合 期间 静电 放电 esd 事件 量值 电路
【主权项】:
一种用于记录在半导体组装期间的ESD事件的量值的电路,所述电路包含:分压器,其连接于第一电位与第二电位之间,所述分压器提供具有与所述第一电位和所述第二电位不同的离散电压电平的节点;以及测量块,其耦合到所述节点且包含记录所述离散电压电平的记录器装置。
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