[发明专利]利用电路层转移制造多层结构的方法有效
| 申请号： | 201080011159.3 | 申请日： | 2010-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN102349149A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | A·卡斯泰;M·布鲁卡特 | 申请（专利权）人： | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 一种制造复合结构的方法，包括在第一衬底(100)的一面上制造第一层微元件(110)的制造步骤，在制造所述微元件(110)的过程中，所述第一衬底贴合地固定在第一支撑件(121)的固定表面(121a)上；还包括将第一衬底(100)的包含该层微元件(110)的面键合到第二衬底(200)上的键合步骤。在所述键合步骤期间，第一衬底(100)贴合地固定在第二支撑件(221)上，该第二支撑件(221)的固定表面(221a)的平面度小于或等于在第一层微元件(110)的制造过程中采用的第一支撑件(120)的平面度。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 电路 转移 制造 多层 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种制造复合结构(300)的方法，包括在第一衬底(100)的一面上制造第一层微元件(110)的制造步骤，在制造所述微元件(110)的过程中，所述第一衬底贴合地固定在第一支撑件(121)的固定表面(121a)上；还包括将所述第一衬底(100)的包含该层微元件(110)的面键合到第二衬底(200)上的键合步骤；所述方法的特征在于，在所述键合步骤期间，所述第一衬底或所述第二衬底贴合地固定在第二支撑件(221)上，该第二支撑件(221)的固定表面(221a)的平面度小于或等于在第一层微元件(110)的制造过程中采用的第一支撑件(120)的平面度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
