[发明专利]基板清洗方法无效
申请号: | 201080011199.8 | 申请日: | 2010-03-10 |
公开(公告)号: | CN102349136A | 公开(公告)日: | 2012-02-08 |
发明(设计)人: | 松井英章;守屋刚;西村荣一;河口慎一;山涌纯;宫内国男 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B08B3/08;B08B3/10;B08B3/14;B08B7/00;H01L21/3065 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种基板清洗方法,其能够以简单的装置构造实施,用于以短时间对形成有微细图案的基板进行清洗,并不会对该微细图案坏带来影响。从对晶片(W)的表面实施规定的加工的处理腔室向实施晶片(W)的清洗的清洗腔室输送晶片(W),在清洗腔内将晶片(W)冷却到规定温度,将作为超流体的超流动氦供给到晶片(W)的表面,从晶片(W)的表面使超流动氦流出,由此冲走微细图案内的污染成分。 | ||
搜索关键词: | 清洗 方法 | ||
【主权项】:
一种基板清洗方法,是对表面形成有微细图案的基板清洗的基板进行清洗方法,该基板清洗方法的特征在于,包括:将所述基板从在所述基板的表面实施规定的加工的处理腔室向实施所述基板的清洗的清洗腔室输送的输送步骤;在所述清洗腔室内将所述基板冷却到规定的温度的冷却步骤;和向所述基板的表面供给超流体,然后,通过使所述超流体从所述基板的表面流出而将所述微细图案内的污染成分冲走的超流动清洗步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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