[发明专利]非晶碳氢氮化物(a-CN:Hx)膜的成膜方法、有机EL器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201080011827.2 | 申请日： | 2010-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN102348777A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 石川拓 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | C09K11/06 | 分类号： | C09K11/06;C23C16/34;H01L51/50;H05B33/10 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 通过使用电子温度比较低的高密度等离子体的方法，以含有碳-氮(C-N)键的碳氢化合物作为材料气体，形成稳定地含有(C-N)键、缺陷少、特性良好的a-CN:Hx膜，提供使用了a-CN:Hx膜的有机器件。使用含有C-N键的碳氢化合物和氮或氨作为材料气体进行发光层的成膜，在发光层的下部形成空穴注入输送层，在发光层的上部形成电子注入层，可以得到以非晶碳氢氮化物(a-CN:Hx)膜作为发光层的有机器件。 | ||
| 搜索关键词： | 碳氢 氮化物 cn sub 方法 有机 el 器件 及其 制造 | ||
【主权项】：
一种非晶碳氢氮化物(a‑CN:Hx)膜的成膜方法，该膜作为有机器件的发光层使用，该成膜方法的特征在于，包括：作为材料气体向处理容器内供给等离子体激发用气体、含有C‑N键的碳氢化合物气体和氮或氨的工序；和通过微波产生所述等离子体激发用气体的等离子体，通过该等离子体使所述材料气体活化的工序。
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