[发明专利]具有漏电路径的微机电系统设备无效
申请号: | 201080012055.4 | 申请日: | 2010-02-12 |
公开(公告)号: | CN102356042A | 公开(公告)日: | 2012-02-15 |
发明(设计)人: | C·R·詹金斯;T·H·霍克斯特拉;R·I·岚明 | 申请(专利权)人: | 沃福森微电子股份有限公司 |
主分类号: | B81B3/00 | 分类号: | B81B3/00 |
代理公司: | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人: | 郑建晖;杨勇 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 英国;GB |
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摘要: | 一种微机电系统(MEMS)换能器,其包括介电材料层,且具有在所述介电材料层内形成的电极。所述介电材料层的一个区域适于提供一个漏电路径,所述漏电路径在使用中从所述介电材料层中除去不想要的电荷。 | ||
搜索关键词: | 具有 漏电 路径 微机 系统 设备 | ||
【主权项】:
一种微机电系统(MEMS)换能器,包括:介电材料层;电极,在所述介电材料层内形成;其中所述介电材料层的一个区域适于提供一个漏电路径,所述漏电路径在使用中从所述介电材料层中除去不想要的电荷。
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