[发明专利]光电转换装置及其制造方法有效
申请号: | 201080012074.7 | 申请日: | 2010-03-16 |
公开(公告)号: | CN102356470A | 公开(公告)日: | 2012-02-15 |
发明(设计)人: | 时冈秀忠;山林弘也;折田泰 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 李今子 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种光电转换装置,将在第一透光性绝缘基板的一面上形成有多个第一光电转换元件的第一光电转换模块、以及在第二透光性绝缘基板的一面上形成有多个第二光电转换元件的第二光电转换模块,以所述第一光电转换元件与所述第二光电转换元件为内侧粘贴,具有多个配置在相对的位置的所述第一光电转换元件与所述第二光电转换元件被电串联连接而构成的光电转换元件对,所有的所述光电转换元件被电串联连接。 | ||
搜索关键词: | 光电 转换 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种光电转换装置,将在第一透光性绝缘基板的一面上形成有多个第一光电转换元件的第一光电转换模块、以及在第二透光性绝缘基板的一面上形成有多个第二光电转换元件的第二光电转换模块,以所述第一光电转换元件与所述第二光电转换元件为内侧粘贴,该光电转换装置的特征在于,具有多个光电转换元件对,该光电转换元件对是配置在相对的位置的所述第一光电转换元件与所述第二光电转换元件被电串联连接而构成,所有的所述光电转换元件对被电串联连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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