[发明专利]在半导体装置的金属化系统中提供超电迁移效能且减少敏感低K介电的劣化无效
| 申请号： | 201080012164.6 | 申请日： | 2010-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN102388449A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | O·奥威尔;J·霍哈格;F·福斯特尔;A·普罗伊塞 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在形成复合金属化系统的过程中，可在含铜的金属区域(122A)上形成传导覆盖层(122C)，用来强化电迁移作用而不会负面影响整体的传导性。同时，可进行热化学处理，提供敏感介电材料(121)的超表面条件以及也抑制碳消耗，所述碳消耗在习知技艺中会造成敏感ULK材料的材料特性明显变化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 金属化 系统 提供 迁移 效能 减少 敏感 | ||
【主权项】：
一种用于形成半导体装置的金属化层的方法，所述方法包括：在金属区域的表面上形成传导覆盖层，所述金属区域侧向包埋在所述金属化层的第一介电材料中；在所述传导覆盖层存在中，在所述第一介电材料的暴露表面上进行热化学清洗处理；以及在所述第一介电材料的所述暴露表面与所述传导覆盖层上，形成第二介电材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
