[发明专利]光电子半导体部件无效
| 申请号： | 201080012813.2 | 申请日： | 2010-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN102356522A | 公开（公告）日： | 2012-02-15 |
| 发明（设计）人： | 马丁·穆勒;尤伟·斯特劳斯 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01S3/0941 | 分类号： | H01S3/0941;H01S5/40;H01S5/42 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 许伟群;郭放 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 在光电子半导体部件(1)的至少一个实施形式中，该光电子半导体部件包括：外延生长的半导体本体(2)，其带有至少一个有源层(3)。此外，半导体部件(1)的半导体本体(2)具有至少一个势垒层(4)，其中所述势垒层(4)直接与所述有源层(3)邻接。有源层(3)和/或势垒层(4)的材料组分和/或层厚度沿着变化方向或纵向方向(L)、垂直于半导体本体(2)的生长方向(G)变化。通过有源层(3)和/或势垒层(4)的材料组分和/或层厚度的变化，同样沿着变化方向或沿着纵向方向(L)调节在有源层(3)中产生的辐射(R)的发射波长(λ)。 | ||
| 搜索关键词： | 光电子 半导体 部件 | ||
【主权项】：
一种光电子半导体部件(1)，具有： 外延生长的半导体本体(2)，其带有至少一个有源层(3)， 至少一个势垒层(4)，其直接与所述有源层(3)邻接，其中所述有源层(3)和/或所述势垒层(4)的材料组分和/或层厚度(B，D)沿着变化方向(L)、垂直于半导体本体(2)的生长方向(G)变化，以及其中沿着变化方向(L)通过所述有源层(3)和/或所述势垒层(4)的材料组分和/或层厚度(B，D)的变化调节在所述有源层(3)中产生的辐射的发射波长(λ)。
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