[发明专利]含CuInS2纳米颗粒的前体层的硒化无效
| 申请号： | 201080012871.5 | 申请日： | 2010-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN102361830A | 公开（公告）日： | 2012-02-22 |
| 发明（设计）人： | R.阿格拉沃尔;H.希尔豪斯;Q.郭 | 申请（专利权）人： | 珀杜研究基金会 |
| 主分类号： | C03B1/00 | 分类号： | C03B1/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邹宗亮 |
| 地址： | 美国印*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供制造用于光电或电子应用的薄膜的方法。所述方法包括制造纳米晶体前体层以及在含硒的气氛中硒化纳米晶体前体层。所述纳米晶体前体层包括CuInS2、CuIn(Sy，Se1-y)2、CuGaS2、CuGa(Sy，Se1-y)2、Cu(InxGa1-x)S2和Cu(InxGa1-x)(Sy，Se1-y)2纳米颗粒中的一种及其组合，其中0≤x≤1且1≤y≤0。 | ||
| 搜索关键词： | cuins sub 纳米 颗粒 前体层 | ||
【主权项】：
制造用于光电或电子应用的薄膜的方法，所述方法包括：制造纳米晶体前体层，其包括CuInS2、CuIn(Sy，Se1‑y)2、CuGaS2、CuGa(Sy，Se1‑y)2、Cu(InxGa1‑x)S2和Cu(InxGa1‑x)(Sy，Se1‑y)2纳米颗粒中的一种及其组合，其中0≤x≤1且1≤y≤0；和在含硒(Se)气氛中硒化所述纳米晶体前体层。
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