[发明专利]有机齐纳二极管、电子电路以及用于运行有机齐纳二极管的方法有效

专利信息
申请号: 201080012966.7 申请日: 2010-03-19
公开(公告)号: CN102388475A 公开(公告)日: 2012-03-21
发明(设计)人: 弗兰克·林德纳;比约恩·吕塞姆;原田健太郎;卡尔·利奥 申请(专利权)人: 诺瓦莱德公开股份有限公司
主分类号: H01L51/05 分类号: H01L51/05
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 车文;樊卫民
地址: 德国德*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 有机齐纳二极管,所述齐纳二极管具有电极、对电极以及在电极和对电极之间并且与之电接触地形成的有机层系统,其中,有机层系统包括下列有机层:电极侧的电n型掺杂的载流子注入层、对电极侧的电p型掺杂的载流子注入层以及电未掺杂的有机中间层,所述电极侧的电n型掺杂的载流子注入层由有机基质材料和n型掺杂物的混合物制成,所述对电极侧的电p型掺杂的载流子注入层由其它有机基质材料和p型掺杂物的混合物制成,所述基质材料可选择与在电极侧的电n型掺杂的载流子注入层中的基质材料一样,所述电未掺杂的有机中间层布置在电极侧的电n型掺杂的载流子注入层和对电极侧的电p型掺杂的载流子注入层之间。此外,设置有一种带有有机齐纳二极管的电子电路系统以及一种用于运行有机齐纳二极管的方法。
搜索关键词: 有机 齐纳二极管 电子电路 以及 用于 运行 方法
【主权项】:
有机的齐纳二极管,所述齐纳二极管具有电极、对电极以及在所述电极和所述对电极之间并且与之电接触地形成的有机层系统,其中,所述有机层系统包括下列有机层: 电极侧的、电n型掺杂的载流子注入层,所述电极侧的、电n型掺杂的载流子注入层由有机基质材料和n型掺杂物的混合物制成; 对电极侧的、电p型掺杂的载流子注入层,所述对电极侧的、电p型掺杂的载流子注入层由其它有机基质材料和p型掺杂物的混合物制成,所述其它有机基质材料能选择地与在所述电极侧的、电n型掺杂的载流子注入层中的基质材料相同;以及 电未掺杂的有机中间层,所述电未掺杂的有机中间层布置在所述电极侧的、电n型掺杂的载流子注入层和所述对电极侧的、电p型掺杂的载流子注入层之间。
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