[发明专利]R-T-B-M系烧结磁体用合金及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201080013059.4 申请日: 2010-03-29
公开(公告)号: CN102361998A 公开(公告)日: 2012-02-22
发明(设计)人: 国吉太 申请(专利权)人: 日立金属株式会社
主分类号: C22C38/00 分类号: C22C38/00;C22C33/02;H01F1/053;H01F1/08;H01F41/02
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 为了能够制造在整个烧结磁体整体中在晶粒的主相外壳中存在富含Dy的R2T14B的R-T-B-M系烧结磁体,预先在作为R-T-B-M系烧结磁体用合金的主相的R2T14B化合物的结晶与其以外的相的界面部分连续生成重稀土元素RH的浓度高的区域。
搜索关键词: 烧结 磁体 合金 及其 制造 方法
【主权项】:
一种R‑T‑B‑M系烧结磁体用合金,其特征在于,具有以下组成:12~17原子%的R(R是稀土元素,R包含轻稀土元素RL、重稀土元素RH两者,作为轻稀土元素RL必须含有Nd、Pr中的任一种,作为重稀土元素RH必须含有Tb、Dy、Ho中的至少一种)、5~8原子%的B(可以用C取代B的一部分)、2原子%以下的添加元素M(选自Al、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Cu、Zn、Ga、Zr、Nb、Mo、Ag、In、Sn、Hf、Ta、W、Pb和Bi中的至少一种)、剩余部分是T(T是以Fe为主的过渡金属,可以含有Co)和其他不可避免的杂质,在主相R2T14B化合物的结晶与富R相的界面,沿所述R2T14B化合物的结晶长轴方向连续在10μm以上的长度上具有重稀土元素RH的浓度高的区域。
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