[发明专利]碳化硅双极结晶体管无效
| 申请号： | 201080013483.9 | 申请日： | 2010-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN102362353A | 公开（公告）日： | 2012-02-22 |
| 发明（设计）人： | 马丁·多梅杰 | 申请（专利权）人： | 飞兆半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/732 | 分类号： | H01L29/732;H01L29/10;H01L29/24 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及碳化硅(SiC)双极结晶体管(BJT)，其中，对晶体管上的发射极触点和基极触点(1，2)之间的表面区域给予相对于块体SiC中的电势的负表面电势。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 结晶体 | ||
【主权项】：
一种碳化硅(SiC)双极结晶体管(BJT)，其特征在于，所述晶体管上的发射极触点和基极触点之间的表面区域被给予相对于块体SiC中电势的负表面电势，所述晶体管包括位于被用于表面钝化的介电层上的导电层，所述导电层在这里被称为表面电极，所述表面电极能够由诸如金属或高掺杂多晶硅的导电材料构成，并且，相对于所述表面内侧的块体SiC，所述表面电极被提供有负电势。
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